Wiki Core I7 4765T
فناوری فرآیند 32 نانومتری به نسل خاصی از فناوری ساخت نیمههادی اطلاق میشود که در آن ابعاد کلیدی ترانزیستورها، به ویژه طول گیت، در حدود 32 نانومتر اندازهگیری میشود. این مقیاسبندی، که نشاندهنده پیشرفت قابل توجهی در فناوری لیتوگرافی و هندسه ترانزیستورها است، امکان تولید تراشههایی با چگالی بالاتر، عملکرد سریعتر و مصرف انرژی کمتر را در مقایسه با نسلهای پیشین (مانند 45 نانومتر یا 65 نانومتر) فراهم میآورد. دستیابی به این ابعاد نیازمند تکنیکهای پیشرفتهای در فرآیند لیتوگرافی نوری، مواد جدید بر...
